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1、#QQABJQSk4gCQkhQACY5LQQUUCwkQsJCQLWoGARCZuA4LQIFAFIA=#QQABJQSk4gCQkhQACY5LQQUUCwkQsJCQLWoGARCZuA4LQIFAFIA=#QQABJQSk4gCQkhQACY5LQQUUCwkQsJCQLWoGARCZuA4LQIFAFIA=#QQABJQSk4gCQkhQACY5LQQUUCwkQsJCQLWoGARCZuA4LQIFAFIA=#QQABJQSk4gCQkhQACY5LQQUUCwkQsJCQLWoGARCZuA4LQIFAFIA=#该实验中，Na2C03、NaHC03混合溶液中，co和HCO；的总浓

2、度为mol L一10 18.(15分）硅是电子工业中应用最广泛的半导体材料。利用Zn高温还原SiCl4C沸点为27.6）是生产多晶硅的一种方法。在Zn还原SiC14的过程中会生成副产物SiCl2，抑制SiCl2的生成可以达到增加Si产量并降低生产能耗的目的。该过程发生的主要反应有：反应LSiC14(g)+2Zn(g）军主Si(s）十2ZnC12Cg)i:l.H 1 K 1;反应II.SiC14 Cg)+Zn(g）严二SiC12Cg)+ZnCl2(g)6.H 2 K 2;反应ID.SiC14 Cg）十Si(s）严二2SiC12(g)6.H 3 K 3;回答下列问题：(1)6.H3=（用含6.H1

3、,6.H2的代数式表示），K3一一一一一（用含K1、Kz的代数式表示）。(2）查阅资料可知：6.H1O。则反应田在度”）条件下能自发进行。（填“高温”“低温”或“任意温(3）在总压分别为P1、Pz和趴下，仅发生反应田，且该反应达到平衡时，SiC12物质的量与目：；飞初始时SiCl4物质的量的比值z随温度变化的关系如图所示。址0.21 0.15 a p3 x 0.10 0.05 1000 T/K 1450 压强：1一一一一（填“”或“”）户3。SiC14的平衡转化率：以）一一一一（填“川”或）cp（的。反应皿的平衡常数：KC）一一一一（填“川”或v）K(c）。(4）一定温度，240 kPa条件下，在某密闭容器中SiC14Cg）和Zn(g）的初始物质的量分别为0.1 mol和0.2 mol，仅发生反应I，恒压反应8 min时，该反应达到平衡，SiC14的分压（分压物质的量分数总压）变为40 kPa:08 min内用SiC14Cg）的分压表示的平均反应速率为Zn Cg）的平衡转化率为%。反应I的平衡常数KP一一一一。高二化学第6页（共6页）kPa min-1。,.三F兮i喇E辩阁?#QQABJQSk4gCQkhQACY5LQQUUCwkQsJCQLWoGARCZuA4LQIFAFIA=#

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